Los trabajos adelantados por los estudiantes Roberto Bernal y Cristián Beltrán son referentes en este momento para dicho laboratorio, ya que se analizaron las propiedades físicas de diferentes materiales semiconductores y la posible aplicación que éstos pueden tener en el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos y espintrónicos.
La primera investigación referente a las aleaciones de nitruro de aluminio (AlN) y nitruro de aluminio dopado con manganeso (AlN:Mn), fue adelantada por Roberto Bernal.
Dentro de su trabajo de tesis el estudiante realizó una pasantía de tres meses en el laboratorio de Propiedades Termoeléctricas del Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada de la Universidad Nacional Autónoma de México en la –UNAM en Querétaro, México, dirigido por el Dr. Mario Rodríguez García con quien se realizan otros proyectos de investigación conjuntos.
Por su parte Cristián Beltrán estudió las aleaciones de antimoniuro de galio (GaSb) y antimoniuro de galio dopado con manganeso (GaSb:Mn); en su formación investigativa el estudiante realizó una pasantía de un mes en el Laboratorio de MBE del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados –Cinvestav en México D.F. dirigido por el DR. Maximo López López.
“Quiero resaltar que actualmente estamos terminando las dos tesis de maestría, y además hemos enviado algunos artículos a revistas especializadas para su publicación; en relación con (AlN):Mn y (GaSb):Mn se hizo caracterización estructural, óptica y magnética. En cuanto a la relacionada con GaSb y GaSb:Mn se logro la preparación de estas aleaciones por pulverización catódica asistida por campo magnético, un punto importante ya que hay muy pocos reportes en la literatura que lo hayan realizado por este método”, explicó el docente y coordinador del laboratorio en la UN Manizales Álvaro Orlando Pulzara Mora.
De otro lado el laboratorio gestionó a través del Departamento Administrativo de Ciencia, Tecnología e Innovación -Colciencias un proyecto donde se investigarán materiales semiconductores de Arseniuro de Galio nitrogenado (GaAs):N y Arseniuro de Galio dopado con In (InGaAs), cuya aplicación principal se da en el desarrollo de celdas solares (dispositivos que convierten energía solar en electricidad).
El estudio de estos materiales hace parte de la tesis de doctorado del Estudiante Roberto Bernal quien ha sido aceptado al doctorado en Ingenieria en la Facultad de Minas de la sede Medellín bajo mi orientación.
Para el segundo semestre académico Pulzara Mora aseguró que se gestionarán estancias doctorales mucho más largas en México, para que los estudiantes puedan darle continuidad a sus procesos investigativos.
Además de las posibilidades de iniciar intercambios con Brasil en el tema de materiales semiconductores, a partir de trabajos conjuntos con investigadores de ese país.Informes: Profesor Álvaro Orlando Pulzara Mora.
Bloque D, cuarto piso. Campus Palogrande.
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